合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法“

合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法“

据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法“，公开号CN117637814A，申请日期为2024年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成垫氧化层、垫氮化层和氧化硬掩模层；在衬底内形成多个沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成保护氧化层，在垫氧化层与衬底的界面，保护氧化层向垫氧化层的底部生长，且厚度递减；回刻垫氮化层；去除氧化硬掩模层和保护氧化层，在沟槽靠近所述衬底的顶部边缘，沟槽与两侧的衬底之间形成预设倾斜角度的斜坡；在沟槽内形成介质层；在介质层上形成屏蔽栅极；去除垫氧化层、垫氮化层和部分介质层；在衬底和屏蔽栅极上形成栅间氧化层；在部分栅间氧化层上形成控制栅极。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的性能。

一种半导体器件及其制作方法发明授权

申请号：CN202310753018.8 申请日：2023-06-26 

申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司

公开(公告)号：CN116525614B 公开(公告)日：2023-10-13 IPC分类号：H01L21/8238,H01L21/762,H01L27/092

发明人：陈兴，黄普嵩

受理局：中国

摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括多个有源区，相邻所述有源区之间设置浅沟槽隔离结构，所述有源区靠近所述浅沟槽隔离结构的边缘为圆角；沟道掺杂区，设置在所述有源区内，且所述沟道掺杂区在所述有源区边缘的深度，与所述沟道掺杂区在所述有源区中心的深度相等；以及栅极结构，设置在所述沟道掺杂区上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的电学性能。